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21 résultat(s) recherche sur le mot-clé 'semiconducteur'
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3. Semiconducteurs / Mounic Marcel
Titre : Semiconducteurs : Thyristors, Triacs Type de document : texte imprimé Auteurs : Mounic Marcel, Auteur Editeur : Les editions foucher (paris) Année de publication : 1973 Importance : 128 Présentation : figures; tableaux Format : 16 x 22 Langues : Français (fre) Mots-clés : semiconducteurs Semiconducteurs : Thyristors, Triacs [texte imprimé] / Mounic Marcel, Auteur . - [S.l.] : Les editions foucher (paris), 1973 . - 128 : figures; tableaux ; 16 x 22.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : semiconducteurs Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 3236 05-01-110 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Exclu du prêt Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance / Stéphane Lefebvre
Titre : Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance Type de document : texte imprimé Auteurs : Stéphane Lefebvre, Auteur ; Francis Miserey, Auteur Editeur : Paris : Tec et Doc Année de publication : 2004 Importance : XVIII-428 p. Présentation : ill. Format : 24 x 16 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7430-0719-5 Prix : 65 EUR Note générale : Bibliogr. Index
Langues : Français (fre) Mots-clés : électronique de puissance semiconducteurs de puissance Index. décimale : 005.82 Résumé : Ce livre présente la physique des semi-conducteurs et aborde les technologies nécessaire à leur réalisation. Les chapitres sont orientés vers les mécanismes qui permettent de résoudre les problèmes liés à la tenue en tension, à la rapidité, aux pertes diverses, pour l'ensemble des composants.
Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance [texte imprimé] / Stéphane Lefebvre, Auteur ; Francis Miserey, Auteur . - Paris : Tec et Doc, 2004 . - XVIII-428 p. : ill. ; 24 x 16 cm.
ISBN : 978-2-7430-0719-5 : 65 EUR
Bibliogr. Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : électronique de puissance semiconducteurs de puissance Index. décimale : 005.82 Résumé : Ce livre présente la physique des semi-conducteurs et aborde les technologies nécessaire à leur réalisation. Les chapitres sont orientés vers les mécanismes qui permettent de résoudre les problèmes liés à la tenue en tension, à la rapidité, aux pertes diverses, pour l'ensemble des composants.
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité F-T 3377/4 F-T 02-09-081 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 3377/3 F-T 02-09-081 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 13960/3 F-T 02-09-081 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible 13960/1 02-09-081 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Eléctrotéchnique Exclu du prêt Composants à semi-conducteurs / Olivier Bonnaud
Titre : Composants à semi-conducteurs : de la physique du solide aux transistors Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Bonnaud, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2006 Collection : Les cours de Supélec Importance : 241 p. Présentation : ill. Format : 26 x 18 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-2804-2 Prix : 26 EUR Note générale : Bibliogr. p. [239]-241. Index
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, MasterLangues : Français (fre) Mots-clés : semiconducteurs Index. décimale : 621.382 BON Résumé :
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)Note de contenu : Sommaire :
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. Conclusion
Composants à semi-conducteurs : de la physique du solide aux transistors [texte imprimé] / Olivier Bonnaud, Auteur . - Paris : Ellipses, 2006 . - 241 p. : ill. ; 26 x 18 cm. - (Les cours de Supélec) .
ISBN : 978-2-7298-2804-2 : 26 EUR
Bibliogr. p. [239]-241. Index
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, Master
Langues : Français (fre)
Mots-clés : semiconducteurs Index. décimale : 621.382 BON Résumé :
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)Note de contenu : Sommaire :
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. Conclusion
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité F-T 42598/2 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 42598/3 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Exclu du prêt F-T 16333/3 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 16333/2 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible BC2014/138-7 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible FS2012/0154-1 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Exclu du prêt FS2012/0154-2 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible BC2014/4138-6 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible BC2014/4138-5 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible FS2012/0154-4 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible FS2012/0154-5 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible BC2014/4138-4 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible FS2012/0154-3 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible BC2014/4138-7 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Physique Disponible 16333/1 05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Exclu du prêt 42598/1 05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible BC2014/4138-2 BC.05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible BC2014/4138-3 BC.05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible BC2014/4138-1 BC.05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Exclu du prêt Guide mondial des semi-conducteurs / Herrmann Schreiber
Titre : Guide mondial des semi-conducteurs : caractéristiques, équivalences et fonctions Type de document : texte imprimé Auteurs : Herrmann Schreiber, Auteur Mention d'édition : 11e éd. Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 2000 Importance : 237 p. Format : 24 x 16 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-003249-5 Prix : 32 EUR Langues : Français (fre) Mots-clés : semiconducteurs Index. décimale : 005.82 Résumé : Un outil pour le dépanneur, le technicien de conception ou de maintenance.
Guide mondial des semi-conducteurs : caractéristiques, équivalences et fonctions [texte imprimé] / Herrmann Schreiber, Auteur . - 11e éd. . - Paris : Dunod, 2000 . - 237 p. ; 24 x 16 cm.
ISBN : 978-2-10-003249-5 : 32 EUR
Langues : Français (fre)
Mots-clés : semiconducteurs Index. décimale : 005.82 Résumé : Un outil pour le dépanneur, le technicien de conception ou de maintenance.
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité F-T 1113/4 F-T 02-06-069 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 1113/5 F-T 02-06-069 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Exclu du prêt F-T 595/1 F-T 02-06-069 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 037/2 F-T 02-06-069 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 1113/3 F-T 02-06-069 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible 1113/1 02-06-069 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Eléctrotéchnique Exclu du prêt Introduction à la physique des semi-conducteurs / Christian Ngô
Titre : Introduction à la physique des semi-conducteurs : cours et exercices corrigés ; 2e cycle, Ecoles d'ingénieurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Christian Ngô, Auteur ; Hélène Ngô, Auteur Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 1998 Collection : Sciences sup Sous-collection : Physique Importance : X-246 p. Présentation : ill. Format : 24 x 17 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-004101-5 Prix : 27 EUR Note générale : Bibliogr. Index
Langues : Français (fre) Mots-clés : semiconducteurs problèmes et exercices Index. décimale : 541.36 Résumé : Fournit les bases de la physique du solide qui sont nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires. Description du principe physique de fonctionnement des composants les plus utilisés (jonctions, transistors...).
Introduction à la physique des semi-conducteurs : cours et exercices corrigés ; 2e cycle, Ecoles d'ingénieurs [texte imprimé] / Christian Ngô, Auteur ; Hélène Ngô, Auteur . - Paris : Dunod, 1998 . - X-246 p. : ill. ; 24 x 17 cm. - (Sciences sup. Physique) .
ISBN : 978-2-10-004101-5 : 27 EUR
Bibliogr. Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : semiconducteurs problèmes et exercices Index. décimale : 541.36 Résumé : Fournit les bases de la physique du solide qui sont nécessaires pour comprendre le fonctionnement microscopique des composants électroniques élémentaires. Description du principe physique de fonctionnement des composants les plus utilisés (jonctions, transistors...).
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité 2013/1 02-05-029 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Eléctrotéchnique Exclu du prêt Physique des dispositifs semi-conducteurs / Jean-Pierre Colinge
PermalinkPhysique des semi-conducteurs / Volta Ramirez
PermalinkPhysique des semi-conducteurs / Bernard Sapoval
PermalinkPhysique des semi-conducteurs et des composants électroniques / Henry Mathieu
PermalinkPhysique des semi-conducteurs et des composants électroniques / Henry Mathieu
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