| Titre : |
Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Benafghoul SEFSAF, Auteur ; D BOLMONT, Directeur de thèse |
| Année de publication : |
1988-1989 |
| Importance : |
90 p |
| Présentation : |
Tableaux,Graphiques. |
| Format : |
21x30 cm |
| Note générale : |
Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide . |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
Thèses Doctorat:Physique
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| Mots-clés : |
ultra-minces, oxydes, silicium , bombardement électronique . |
| Note de contenu : |
Annexe, Références bibliographiques |
Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). [texte imprimé] / Benafghoul SEFSAF, Auteur ; D BOLMONT, Directeur de thèse . - 1988-1989 . - 90 p : Tableaux,Graphiques. ; 21x30 cm. Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide . Langues : Français ( fre) |
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