| Titre : | Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | Benafghoul SEFSAF, Auteur ; D BOLMONT, Directeur de thèse | | Année de publication : | 1988-1989 | | Importance : | 90 p | | Présentation : | Tableaux,Graphiques. | | Format : | 21x30 cm | | Note générale : | Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide . | | Langues : | Français (fre) | | Catégories : | Thèses Doctorat:Physique
| | Mots-clés : | ultra-minces, oxydes, silicium , bombardement électronique . | | Note de contenu : | Annexe, Références bibliographiques |
Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). [texte imprimé] / Benafghoul SEFSAF, Auteur ; D BOLMONT, Directeur de thèse . - 1988-1989 . - 90 p : Tableaux,Graphiques. ; 21x30 cm. Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide . Langues : Français ( fre) |
Affiner la rechercheCroissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). / Benafghoul SEFSAF
