| Titre : | Composants à semi-conducteurs : de la physique du solide aux transistors | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | Olivier Bonnaud, Auteur | | Editeur : | Paris : Ellipses | | Année de publication : | 2006 | | Collection : | Les cours de Supélec | | Importance : | 241 p. | | Présentation : | ill. | | Format : | 26 x 18 cm | | ISBN/ISSN/EAN : | 978-2-7298-2804-2 | | Prix : | 26 EUR | | Note générale : | Bibliogr. p. [239]-241. Index
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, Master | | Langues : | Français (fre) | | Mots-clés : | semiconducteurs | | Index. décimale : | 621.382 BON | | Résumé : |
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture) | | Note de contenu : | Sommaire :
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. Conclusion
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Composants à semi-conducteurs : de la physique du solide aux transistors [texte imprimé] / Olivier Bonnaud, Auteur . - Paris : Ellipses, 2006 . - 241 p. : ill. ; 26 x 18 cm. - ( Les cours de Supélec) . ISBN : 978-2-7298-2804-2 : 26 EUR Bibliogr. p. [239]-241. Index
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, Master Langues : Français ( fre) | Mots-clés : | semiconducteurs | | Index. décimale : | 621.382 BON | | Résumé : |
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture) | | Note de contenu : | Sommaire :
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. Conclusion
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