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Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). / Benafghoul SEFSAF
Croissance et caractérisation de films ultra-minces d’oxydes de silicium formes sous bombardement électronique en surface du silicium(100). [texte imprimé] / Benafghoul SEFSAF, Auteur ; D BOLMONT, Directeur de thèse . - 1988-1989 . - 90 p : Tableaux,Graphiques. ; 21x30 cm. Memoire de doctorat en Physique / Option : Physique du solide . Langues : Français (fre)
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Exemplaires
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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BC 0077 | D/ 002-05-1989 | Thèse | Bibliothèque Universitaire Centrale | Thèses Doctorat | Exclu du prêt |