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Collection Les cours de Supélec
- Editeur : Ellipses
- ISSN : pas d'ISSN
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Affiner la rechercheComposants à semi-conducteurs / Olivier Bonnaud
Titre : Composants à semi-conducteurs : de la physique du solide aux transistors Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Bonnaud, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2006 Collection : Les cours de Supélec Importance : 241 p. Présentation : ill. Format : 26 x 18 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-2804-2 Prix : 26 EUR Note générale : Bibliogr. p. [239]-241. Index
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, MasterLangues : Français (fre) Mots-clés : semiconducteurs Index. décimale : 621.382 BON Résumé :
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)Note de contenu : Sommaire :
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. Conclusion
Composants à semi-conducteurs : de la physique du solide aux transistors [texte imprimé] / Olivier Bonnaud, Auteur . - Paris : Ellipses, 2006 . - 241 p. : ill. ; 26 x 18 cm. - (Les cours de Supélec) .
ISBN : 978-2-7298-2804-2 : 26 EUR
Bibliogr. p. [239]-241. Index
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master. - Autre(s) tirage(s) : 2010. - Ecoles d'ingénieurs, Master
Langues : Français (fre)
Mots-clés : semiconducteurs Index. décimale : 621.382 BON Résumé :
Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des cartes de tous les systèmes électroniques. Dans une première partie orientée "physique du solide" et focalisée sur les matériaux semiconducteurs, il expose les macanismes de base de la conduction. Puis, dans une seconde partie orientés "dispositifs", il décrit et explique le fonctionnement des principaux composants élémentaires de la microélectronique : diodes, transistors bipolaires, transistors MOS et é effet de champ à jonction... L'approche proposée se démarque des ouvrages classiques, en débutant par une sensibilisation aux phénomènes physiques avant d'en établir le formalisme. De nombreux exemples, exercices et problèmes corrigés confortent l'aspect pratique de l'ouvrage." (source : 4ème de couverture)Note de contenu : Sommaire :
Chapitre I- Eléments de cristallographie
1. Introduction aux réseaux cristallins
2. Réseaux cristallins
3. Réseau récirpoque
4. Zone de Brillouin
5. Diffraction dans un cristal
6. Représentation du cristal de solicium
Chapitre II- Electrons dans un cristal
1. Potentiel d'un électron dans un cristal
2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
3. Distribution de Maxwell
4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
1. Bandes d'énergie
2. Porteurs de charge
3. Semiconducteur extrinsèque
Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
Chapitre V- Phénomènes de transport
1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
2. Diffusion des porteurs
3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
4. Relation d'Einstein
5. Equations de continuité
6. Equation de Poisson
7. Densités de courant généralisées
8. Piézo-résistance et piézo-électricité
9. Effet Hall
10.Conclusion
Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
1. Constitution
2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
3. Etude de la jonction pn polarisée
4. Jonctions appliquées aux diodes
Chapitre VII- Le transistor bipolaire
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Effets des recombinaisons
4. Autres effets et limites physiques principales
5. Schémas équivalents électriques du transistor
6. Conclusion
Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
1. Constitution
2. Principe de fonctionnement
3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
4. Caractéristique de transistor MOS idéal
5. Schémas équivalents électriques du MOS
5. Défauts cristallins et de surface
Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
1. COnstitution
2. Symboles
3. Principe de fonctionnement
4. Modélisation simplifiée de la structure
5. Schémas équivalents
6. Conclusion
Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
1. Constitution
2. Diagrammes des bandes d'énergie
3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
5. Transport à travers la jonction
6. Conclusion
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité F-T 42598/2 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 42598/3 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Exclu du prêt F-T 16333/3 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 16333/2 F-T 02-10-063 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible BC2014/138-7 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible FS2012/0154-1 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Exclu du prêt FS2012/0154-2 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible BC2014/4138-6 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible BC2014/4138-5 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible FS2012/0154-4 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible FS2012/0154-5 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible BC2014/4138-4 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible FS2012/0154-3 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible BC2014/4138-7 621.382 BON Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Physique Disponible 16333/1 05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Exclu du prêt 42598/1 05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible BC2014/4138-2 BC.05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible BC2014/4138-3 BC.05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible BC2014/4138-1 BC.05-13-017 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Exclu du prêt
Titre : Commande numérique des systèmes : approches fréquentielle et polynomiale Type de document : texte imprimé Auteurs : Emmanuel Godoy, Auteur ; Eric Ostertag, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2003 Collection : Les cours de Supélec Importance : 250 p. Format : 26 x 18 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-1724-4 Prix : 27 EUR Note générale : Bibliogr.
Langues : Français (fre) Mots-clés : commande numérique manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 627.420 288 Résumé : Présente les différents aspects théoriques que l'on peut associer aux systèmes discrets, les éléments théoriques nécessaires à l'étude des systèmes discrets bouclés, l'étude des différentes méthodes de synthèse de lois de commande et des problèmes pratiques rencontrés lors de l'implantation des régulateurs numériques.
Commande numérique des systèmes : approches fréquentielle et polynomiale [texte imprimé] / Emmanuel Godoy, Auteur ; Eric Ostertag, Auteur . - Paris : Ellipses, 2003 . - 250 p. ; 26 x 18 cm. - (Les cours de Supélec) .
ISBN : 978-2-7298-1724-4 : 27 EUR
Bibliogr.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : commande numérique manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 627.420 288 Résumé : Présente les différents aspects théoriques que l'on peut associer aux systèmes discrets, les éléments théoriques nécessaires à l'étude des systèmes discrets bouclés, l'étude des différentes méthodes de synthèse de lois de commande et des problèmes pratiques rencontrés lors de l'implantation des régulateurs numériques.
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité F-T 42587/2 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 42587/3 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Exclu du prêt F-T 009/1 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 009/2 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 3376/4 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 3376/3 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 13956/4 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 1692 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 1693 F-T 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible 13956/1 02-08-033 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Eléctrotéchnique Exclu du prêt
Titre : Analyse spectrale : méthodes non paramétriques et paramétriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Gilles Fleury, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2001 Collection : Les cours de Supélec Importance : 189 p. Présentation : ill. Format : 26 x 18 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-0495-4 Prix : 20 EUR Note générale : Bibliogr.
Langues : Français (fre) Mots-clés : spectroscopie manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 541.36 Résumé : Présente différents aspects de l'analyse spectrale, tant non paramétrique que paramétrique. Met l'accent sur l'utilisation explicite ou implicite d'un modèle par ces traitements. Montre ainsi que modéliser devient un objectif à part entière. Pour autant, l'optimalité d'un modèle dépend de l'objectif visé par l'analyse et pas uniquement de son pouvoir à reproduire des données expérimentales.
Analyse spectrale : méthodes non paramétriques et paramétriques [texte imprimé] / Gilles Fleury, Auteur . - Paris : Ellipses, 2001 . - 189 p. : ill. ; 26 x 18 cm. - (Les cours de Supélec) .
ISBN : 978-2-7298-0495-4 : 20 EUR
Bibliogr.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : spectroscopie manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 541.36 Résumé : Présente différents aspects de l'analyse spectrale, tant non paramétrique que paramétrique. Met l'accent sur l'utilisation explicite ou implicite d'un modèle par ces traitements. Montre ainsi que modéliser devient un objectif à part entière. Pour autant, l'optimalité d'un modèle dépend de l'objectif visé par l'analyse et pas uniquement de son pouvoir à reproduire des données expérimentales.
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ISA BC8377/3 05-11-068 Ouvrage Bibliothèque de Faculté des Sciences de la Nature et de la Vie (FSNV) Physique Exclu du prêt F-T 42515/2 F-T 02-14-089 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Exclu du prêt F-T 42515/3 F-T 02-14-089 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible BC08377/2 621.385 FLE Ouvrage Bibliothèque de la Faculté des Sciences Exactes et Informatique Chimie Exclu du prêt 8377/1 05-11-068 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Exclu du prêt 42515/01 05-11-068 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible
Titre : Techniques micro-ondes : structures de guidage, dispositifs passifs et tubes micro-ondes Type de document : texte imprimé Auteurs : Marc Hélier, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2001 Collection : Les cours de Supélec Importance : IV-310 p. Présentation : ill. Format : 26 x 18 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-0497-8 Prix : 33.5 EUR Note générale : Bibliogr. Index
Langues : Français (fre) Mots-clés : électrotechnique manuels d'enseignement supérieur dispositifs à microondes Index. décimale : 627.420 288 Résumé : Les bases de la propagation guidée sont largement développées pour l'étude des structures de guidage, des circuits micro-ondes, des tubes à ondes progressives, des antennes à résonateur microruban... Les concepts, principes généraux, théorèmes et méthodes de calcul sont clairement exposés. Dix problèmes d'application avec solution détaillée illustrent la théorie.
Techniques micro-ondes : structures de guidage, dispositifs passifs et tubes micro-ondes [texte imprimé] / Marc Hélier, Auteur . - Paris : Ellipses, 2001 . - IV-310 p. : ill. ; 26 x 18 cm. - (Les cours de Supélec) .
ISBN : 978-2-7298-0497-8 : 33.5 EUR
Bibliogr. Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : électrotechnique manuels d'enseignement supérieur dispositifs à microondes Index. décimale : 627.420 288 Résumé : Les bases de la propagation guidée sont largement développées pour l'étude des structures de guidage, des circuits micro-ondes, des tubes à ondes progressives, des antennes à résonateur microruban... Les concepts, principes généraux, théorèmes et méthodes de calcul sont clairement exposés. Dix problèmes d'application avec solution détaillée illustrent la théorie.
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité F-T 34698/2 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 34698/3 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 1161/4 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Exclu du prêt F-T 1161/3 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 25274/2 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 42873/2 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 42873/3 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 091 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 091/2 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible S-S-I 091/2 F-T 02-08-008 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible 1161/1 05-03-095 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Exclu du prêt 1161/2 05-03-095 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible 25274/1 05-03-095 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Physique Disponible
Titre : Electrotechnique radiofréquence Type de document : texte imprimé Auteurs : André Pacaud, Auteur Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2000 Collection : Les cours de Supélec Importance : X-242 p. Présentation : ill. Format : 26 x 18 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-0073-4 Prix : 23 EUR Note générale : Bibliogr. Index
Langues : Français (fre) Mots-clés : électricité manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 627.420 288 Résumé : Thèmes traités : amplification à fort niveau, amplification radiofréquence sélective, optimisation des performances (réduction du bruit), transposition en fréquence, amplification à large bande, circuits radiofréquences passifs. Exercices d'application corrigés.
Electrotechnique radiofréquence [texte imprimé] / André Pacaud, Auteur . - Paris : Ellipses, 2000 . - X-242 p. : ill. ; 26 x 18 cm. - (Les cours de Supélec) .
ISBN : 978-2-7298-0073-4 : 23 EUR
Bibliogr. Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : électricité manuels d'enseignement supérieur Index. décimale : 627.420 288 Résumé : Thèmes traités : amplification à fort niveau, amplification radiofréquence sélective, optimisation des performances (réduction du bruit), transposition en fréquence, amplification à large bande, circuits radiofréquences passifs. Exercices d'application corrigés.
Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité F-T 34644/3 F-T 02-10-098 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 34644/2 F-T 02-10-098 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Disponible F-T 25149/2 F-T 02-10-098 Ouvrage Bibliothèque de la Faculté de Technologie Eléctrotéchnique Exclu du prêt 25149/1 02-11-053 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Eléctrotéchnique Exclu du prêt 34644/01 02-11-053 Ouvrage Bibliothèque Universitaire Centrale Eléctrotéchnique Disponible
Permalink
